天津可控硅模块价格诚信企业

可控硅和其它半导体器件的区别

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两可控硅反向连接而成。它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

双向可控硅的检测用万用表

双向可控硅的检测

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其间两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为榜首阳极A1和操控极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为榜首阳极A1，红表笔所接引脚为操控极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接榜首阳极A1，此刻万用表指针不该发作偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应坚持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接榜首阳极A1。同样万用表指针应不发作偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，坚持在10欧姆左右。

符合以上规律，阐明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

可控硅模块(semiconductormodule)

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

可控硅模块受损原因分析

可控硅模块受损原因

1、电压击穿。

可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。

如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。

3、电流上升率损坏。

如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。

4、边缘损坏。

这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。